光半導体デバイスの製品開発／月給37万円〜・残業月10h

応募対象

◆最終学歴
専門卒以上

◆必須条件
・必須条件：※下記いずれか
・理工系学部の大学あるいは高専を卒業（半導体やプロセスに関する単位を取得）された方
・半導体ウエハプロセスの何らかのご経験

◆歓迎条件
・半導体における前工程（ウエハプロセス経験者）で、製品開発に携わったことのある方。（前工程の経験に関しては、大学時の研究テーマ等でも可）

仕事内容

■業務内容：
・光半導体デバイスの製品開発に関わる業務
・素子構造設計、マスク設計
・ウエハプロセスの実施、プロセス条件の検討
・特性評価、データ解析、構造解析
・デザインレビューの実施
・サンプル品の出荷
・環境関連情報の入手、提供
・その他製品開発に係わる業務
■同社製品の光通信用デバイス：

InGaAsフォトダイオード、InGaAs PIN-TIAレシーバー、InGaAsアバランシェフォトダイオード、InGaAs APD-TIAレシーバー、GaAsフォトダイオード、GaAs PIN-TIAレシーバー　等

想定年収

想定年収：4,500,000円～6,250,000円

雇用形態

正社員

勤務地

北海道恵庭市戸磯385番地31

勤務時間

固定時間制

8:30～17:30

休日・休暇

完全週休2日制（土日祝）、年間有給休暇17日～24日（下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります）、会社カレンダーによる
残業：あり（月平均10時間程度）

福利厚生

・寮社宅：借上住宅制度補助※入社時転居が伴う場合／上限あり
・引越手当：遠距離から入社の場合（社内規定有）
・株式給付制度
・財形貯蓄制度
・借上住宅制度（対象基準あり）
・従業員持株会
・福利厚生サービス
・加入保険：雇用・労災・厚生年金・健康
・受動喫煙対策：あり　具体的な対策：屋内禁煙
・試用期間：3ヶ月

Careee管理番号：cb-14857-40390